項(xiàng)目編號(hào)：Dlmu-FS-20240844
項(xiàng)目名稱：碳化硅肖特基加工（溝槽結(jié)構(gòu)、平面結(jié)構(gòu)）
公示時(shí)間：2024年11月14日- 2024年11月19日
擬成交單位 ：中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
采購(gòu)預(yù)算：139547元
采購(gòu)內(nèi)容：進(jìn)行碳化硅肖特基加工，兩種結(jié)構(gòu)（溝槽結(jié)構(gòu)、平面結(jié)構(gòu)），具體要求如下： 溝槽型肖特基方案 1、標(biāo)準(zhǔn)清洗 2、標(biāo)記刻蝕 3、電鍍4.5μmNi 4、刻蝕45μmSiC 5、表面刻蝕損傷優(yōu)化，犧牲氧化：1100℃1h*2次 6、W/Au樣品介質(zhì)層生長(zhǎng)，干氧30min，Ni/Au樣品不需要 7、背面歐姆制備，150nmNi，快速退火：1000℃，2min 8、溝槽內(nèi)金屬濺射，一片W/Au（200/150），一片Ni/Au（200/150） 9、劃片道金屬刻蝕 平面肖特基方案 1、標(biāo)準(zhǔn)清洗 2、標(biāo)記刻蝕 3、正面LPCVD生長(zhǎng)400nm氮化硅鈍化層 4、背面歐姆制備，150nmNi，快速退火：1000℃，2min 5、正面肖特基開窗 6、正面肖特基制備Ni200nm，快速退火：500℃，5min 7、正面金屬加厚圖形化：Ti/Au（20/300nm） |
單一來(lái)源理由：本次采購(gòu)的碳化硅器件加工，需要在 6 吋的碳化硅晶圓全局刻蝕 45 微米深槽。器件加工需要在超高真空下進(jìn)行，需要深槽內(nèi)均勻沉積金屬，形成肖特基二極管結(jié)構(gòu)。加工過(guò)程需要特定的綜合工藝制備方案，加工器件需要特殊的退火處理。另外根據(jù)圖形化需求，需要加工單位具有比較成熟的碳化硅深槽刻蝕技術(shù)。 經(jīng)調(diào)研，中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所（蘇納所）的納米加工平臺(tái)長(zhǎng)期從事半導(dǎo)體材料與器件、工藝相關(guān)研究，包括碳化硅材料外延生長(zhǎng)、器 件加工，擁有完備的加工和測(cè)試設(shè)備。并且在碳化硅器件制備中發(fā)表多篇高水平論文和申請(qǐng)相關(guān)專利多項(xiàng)，具備豐富的工藝開發(fā)和整合經(jīng)驗(yàn)，適于承接該類研發(fā)器件代工工藝技術(shù)支持與搭載流片服務(wù)。本次加工，涉及“4H-SiC 光子晶體微諧振腔及其制備方法”和“碳化硅二極管及其制備方法”兩項(xiàng)專利技術(shù)的應(yīng)用。 因此，蘇納所加工平臺(tái)是目前唯一能夠滿足本次器件加工要求并愿意提供加工服務(wù)的單位。擬采用校內(nèi)單一來(lái)源采購(gòu)方式。
論證小組成員：曹菲,宋延興,張維
有關(guān)單位或個(gè)人如對(duì)本項(xiàng)目采用校內(nèi)單一來(lái)源采購(gòu)方式有異議，應(yīng)在公示期內(nèi)以書面形式向大連海事大學(xué)招投標(biāo)與采購(gòu)中心反映。
聯(lián)系人：崔迪
聯(lián)系電話：13352209224
國(guó)有資產(chǎn)與實(shí)驗(yàn)室管理處
招投標(biāo)與采購(gòu)中心
2024年11月14日
