項目編號:Dlmu-FS-20240977
項目名稱:Ga2O3器件加工
公示時間:2024年12月10日- 2024年12月13日
擬成交單位 :中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
采購預算:48267元
采購內容:方案一工藝: 清洗:標準RCA清洗 PECVD:采用PECVD技術積300nm的SiO2 陰極金屬金屬沉積:電子束蒸發工藝Ti/Au(5/100nm),工作真空:5E-4Pa 刻蝕:SiO2場板介質的光刻與刻蝕 肖特基預處理A.清洗:B.過刻蝕后處理:C.預處理:最后在400℃下進行5min的O2處理 ALD:利用ALD生長5nm的TiN作為氧化鎵與肖特基金屬之間的夾層 陽極金屬金屬沉積:電子束蒸發工藝Cu/Au(100/200nm),工作真空:5E-4Pa 退火:器件制備完成后,在N2氣氛下,退火溫度為300℃、400℃、500℃,退火的時間為5分鐘,退火結束后待樣品冷卻后取出,防止樣品被熱氧化 劃片:將四吋氧化鎵品圓切割成8mmx8mm的小片 方案二工藝: 清洗:標準RCA清洗 PECVD:采用PECVD技術積300nm的SiO2 陰極金屬金屬沉積:電子束蒸發工藝Ti/Au(5/100nm),工作真空:5E-4Pa 刻蝕:SiO2場板介質的光刻與刻蝕 肖特基預處理A.清洗:B.過刻蝕后處理:C.預處理:最后在400℃下進行5min的O2處理。 ALD:利用ALD生長5nm的TiN作為氧化鎵與肖特基金屬之間的夾層 陽極金屬金屬沉積:電子束蒸發工藝Ni/Au(100/200nm),工作真空:5E-4Pa 退火:器件制備完成后,在N2氣氛下,退火溫度為300℃、400℃、500℃,退火的時間為5分鐘,退火結束后待樣品冷卻后取出,防止樣品被熱氧化 劃片:將四吋氧化鎵品圓切割成8mmx8mm的小片 方案三工藝: 清洗:標準RCA清洗 PECVD:采用PECVD技術積300nm的SiO2 陰極金屬金屬沉積:電子束蒸發工藝Ti/Au(5/100nm),工作真空:5E-4Pa 刻蝕:SiO2場板介質的光刻與刻蝕 肖特基預處理A.清洗:B.過刻蝕后處理:C.預處理:最后在400℃下進行5min的O2處理。 ALD:利用ALD生長5nm的TiO2作為氧化鎵與肖特基金屬之間的夾層 陽極金屬金屬沉積:電子束蒸發工藝Cu/Au(100/200nm),工作真空:5E-4Pa 退火:器件制備完成后,在N2氣氛下,退火溫度為300℃、400℃、500℃,退火的時間為5分鐘,退火結束后待樣品冷卻后取出,防止樣品被熱氧化 劃片:將四吋氧化鎵品圓切割成8mmx8mm的小片 方案四工藝: 清洗:標準RCA清洗 PECVD:采用PECVD技術積300nm的SiO2 陰極金屬金屬沉積:電子束蒸發工藝Ti/Au(5/100nm),工作真空:5E-4Pa 刻蝕:SiO2場板介質的光刻與刻蝕 肖特基預處理A.清洗:B.過刻蝕后處理:C.預處理:最后在400℃下進行5min的O2處理 ALD:利用ALD生長5nm的TiO2作為氧化鎵與肖特基金屬之間的夾層 陽極金屬金屬沉積:電子束蒸發工藝Ni/Au(100/200nm),工作真空:5E-4Pa 退火:器件制備完成后,在N2氣氛下,退火溫度為300℃、400℃、500℃,退火的時間為5分鐘,退火結束后待樣品冷卻后取出,防止樣品被熱氧化 劃片:將四吋氧化鎵品圓切割成8mmx8mm的小片 第一次測試內容: 選擇測試的電極尺寸:425μm,5個電極最中間的那個 IV BV (1)結構:Cu/Cr/Au (2)結構:Cr/Cu/Cr/Au (3)結構:Al2O3/Cu/Cr/Au 第二次后續重新退火+電學測試: A.退火: 選擇之前三個結構中100℃退火的樣品片重新進行氮氣氣氛下450℃快速熱退火。 B.電學測試: (1)對Cu/Cr/Au和Al2O3/Cu/Cr/Au兩種結構中未退火的樣品片,選擇425μm尺寸的電極進行IV,BV測試。 (2)對Cu/Cr/Au和Al2O3/Cu/Cr/Au兩個結構中重新進行450℃快速熱退火的兩個樣品,選擇425μm尺寸的電極進行IV,BV測試。 |
單一來源理由:本次采購的氧化鎵器件加工,需要將4吋的氧化鎵晶圓切割成8×8mm的方形小片,并在此基礎上利用8×8mm的氧化鎵小片為襯底制備氧化鎵功率器件。器件的加工需要在超高真空下進行,同時需要采用PECVD生長300nm厚SiO2并按照版圖進行光刻,采用ALD生長5nm的TiN或TiO2薄膜,采用電子束蒸發方法來沉積Cu/Au或Ni/Au,而且加工時需要適當的基片加熱溫度,加工過程需要特定的綜合工藝制備方案。另外根據圖形化需求,需要加工單位具有比較成熟的刻蝕技術。 經調研,中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所(蘇納所)的納米加工平臺長期從事半導體材料與器件、工藝相關研究,并且在氧化鎵制備中發表多篇高水平論文和申請相關專利多項,具備豐富的工藝開發和整合經驗,適于承接該類研發器件代工工藝技術支持與搭載流片服務(特別適合于具有實驗性質的器件加工)。因此,蘇納所的加工平臺是目前唯一能夠滿足本次器件加工要求并愿意提供加工服務的單位。擬采用校內單一來源方式采購
論證小組成員:曹菲,宋延興,張維
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聯系人:崔迪
聯系電話:0411-84729221
國有資產與實驗室管理處
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